Dickschichttechnologie

Der Einsatz von Keramikleiterplatten bietet viele Vorteile gegenüber herkömmlichen elektronischen Leiterplatten (PCB).

Die Wärmeleitfähigkeit der Keramiken ist um Faktoren besser als die von PCBs.

  • PCB: 0,3 W/mK
  • Al2O3 Keramik: 25 W/mK
  • AlN Keramik: 170 W/mK

Auf Keramikträgern werden oftmals Bare-Dice (reine Silizium Halbleiter ohne Gehäuse) bestückt. Die thermische Ausdehung (CTE) von Silizium und Dickschichtkeramik liegen eng beieinander. Dies wiederum bedeutet eine längere Lebensdauer insbesondere bei hohen thermischen Anforderungen und Temperaturwechsel.

Bei Verwendung von offenen Halbleitern werden diese per Wirebonding auf die Keramik (oder PCB) kontaktiert. Bei Verwendung von gekapselten Surface-Mounted Device (SMD) Komponenten ist dieses Wirebonding bereits im Halbleiterbaustein realisiert. Durch den Einsatz von offenen Halbleitern halbiert sich deshalb die Anzahl der Verbindungsstellen, was zu einer Erhöhung der Zuverlässigkeit der Schaltung führt.

Technische Randparameter für Keramikleiterplatten
  • Substratmaterial: Al2O3 (Standard) oder AlN
  • Größe: 4" x 4" (Standard) bis 6,5" x 4,5"
  • Dicke: 0,635 mm (Standard); 0,250 mm bis 3,000 mm
  • Anzahl der Leiterbahnebenen: bis zu 8 Leiterbahnebenen pro Seite, beidseitige Bedruckung (Standard)
  • Leiterbahnbreiten / -abstände: 200μm / 200μm (Standard), ≥ 80μm (reiner Siebdruck), ≥ 25μm (per Ätztechnik)
  • Leiterbahnmaterialien: Au, AgPd, AgPt, PtAu
  • Integrierte Widerstände: 0,5 Ohm bis 100 MOhm (Toleranz ≥ 0,1%, per Laserabgleich)
  • Hermetische Durchkontaktierungen
  • Isolationsspannung bis 2500 Volt DC
  • Platinebasiernde Leiterbahnen für Pt Thermistoren

Selbstverständlich bieten wir darüberhinaus weitere Substratmaterialien an.